新款闪存采用了一种新颖的堆叠架构，底部是CMOS层与逻辑电路，随后是两层各145层的闪存阵列堆叠。尽管这种设计更为复杂，但它确保了更高的良品率，并为未来的进一步拓展提供了可能。

 

  三星已规划好未来的发展方向，预计在2025年下半年将量产堆叠层数高达430层的第十代V-NAND闪存。而更长远的目标，三星甚至预计在2030年左右达到1000层的堆叠。

 

  与此同时，中国的长江存储也在加速研发进程，计划在今年下半年量产300层的闪存。SK海力士则计划在明年初实现321层闪存的量产，而铠侠更是雄心勃勃，宣称将在2031年实现1000多层闪存的量产。可见，闪存技术正在持续飞速发展，未来的竞争格局也将更加激烈。