长鑫存储表示，与上一代LPDDR4X相比，他们的LPDDR5产品在单一颗粒的容量和速率上均提高了50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低了30%。此外，新产品还加入了RAS（可靠性、可用性和可服务性）功能，通过内置纠错码等技术实现实时纠错，以减少系统故障并确保数据安全，从而增强稳定性。
长鑫存储官网显示，该公司成立于2016年，已经在合肥和北京建成了12英寸晶圆厂并投产。他们的主营业务是动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。目前，长鑫存储已经推出了多款DRAM商用产品，这些产品被广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。
