三星电子首次实现GAA"多桥-通道效应晶体管"应用打破了FinFET该技术的性能限制通过降低工作电压水平来提高能耗比，并通过增加驱动电流来提高芯片的性能。三星首先、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划扩展到移动处理器领域。 

   3nmGAA 该技术采用了较宽的纳米片，采用窄通道纳米线GAA 技术可以提供更高的性能和能耗比。GAA 从技术上讲，三星可以调整纳米晶体管的通道宽度，优化功耗和性能，从而满足客户的多元化需求。GAA 设计灵活性协同优化设计技术（DTCO) [2]非常有利，有助于更好地实现PPA 优点。三星5nm与工艺相比，第一代3nm工艺能使功耗降低45%，性能提高23%，芯片面积减少16%；未来第二代3nm工艺将功耗降低50%，性能提高30%，芯片面积减少 35%。 

   随着工艺节点越来越小，对芯片性能的越来越高，IC设计师需要面对处理大量数据、验证更多功能、扩展更紧密的复杂产品的挑战。三星致力于提供更稳定的设计环境，以满足这些需求，使其能够在更短的时间内完善其产品。
 

  帮助减少设计、验证和批准过程所需的时间，提高产品的可靠性。   自2021年第三季度以来，三星电子一直通过，包括ANSYS、三星先进晶圆OEM生态系统，包括楷登电子、西门子和新思科技SAFE TM合作伙伴的密切合作，提供成熟的设计基础设施，