BCD双极晶体管是一种(Bipolar)、补充金属氧化物半导体(CMOS)双扩散金属氧化物半导体用于高压处理(DMOS)集成在同一芯片上的工艺技术。广泛应用于制造功率半导体。与普通半导体相比，功率半导体需要更高的额定电压和可靠性。随着功率半导体应用的扩大，BCD需求也在增加。带有启方半导体EPI外延层的BCD与工艺相比，这个新的0.18微米30V非EPI BCD尽管去掉了工艺EPI延伸层，但仍保持相同的性能。该新工艺非常适用于需要更高电压、更高可靠性 和更高效率的功率半导体应用程序。可适用于智能手机、智能手表等低功耗电源管理DC-DC 生产充电芯片。与导电阻相比，这种新工艺(Rsp)性能与0.18微米EPI BCD工艺保持不变。

  启方半导体可提供5V至30V各种功率器件之间的选择。因为这个过程不需要EPI提高工艺效率，通过为5V提供5个电源模块V LDMOS晶体管实现了高效的设计。特别值得一提的是，这种新的非EPI BCD工艺逻辑器件与现有工艺保持一致EPI BCD工艺逻辑器件与其数据库非常接近电性能（libraries） & IP与目前的大规模生产过程相兼容。

  为了提高用户的便利性，新工艺也提供了MTP和OTP(一次性编程)IP，而不需要任何额外的工艺步骤。得益于这些优点，该工艺适用于需要存储功能的功率半导体，也可以用于其它多种类型的应用，如移动直流-直流IC和充电器IC。从工艺开发的最早阶段开始，启方半导体与无晶圆厂功率半导体设计客户密切沟通，反映市场对工艺结构的需求。

  启方半导体通过开发易于使用的地图选项和设计工具包，增强了用户的便利性。特别是与现有产品相比，客户可以简化流程，提高产品性能。同时，该新技术符合国际汽车电子可靠性标准AEC Q100的Grade-1要求，因此，它不仅适用于移动设备，也适用于汽车动力半导体，如电机驱动IC和直流-直流IC等。