据悉，新的8毫欧姆产品与VisIC上一代产品相比，其将当前功率提高了一倍，电阻降低了 2.5 倍。这将使我们的电动汽车应用客户改进其逆变器系统，在尺寸、功率和成本方面更高效地实现设计目标。

 

  新的8毫欧姆产品的额定参数为 8毫欧姆、650伏特、200安培，与同类 IGBT 或 SiC 器件相比，在相同电流范围内可实现显著降低的开关损耗。客户可以将新的8毫欧姆产品集成到分立封装和功率模块设计中。

  这项新技术可节省功率损耗，特别是在大电流电动汽车逆变器系统的功率循环测试中。

 

  与现有的硅晶圆技术相比较，对于宽禁带器件SiC和GaN来说，制造更大电流的裸芯片非常有挑战。由于D3 GaN平台的精心设计，以及VisIC公司制造合作伙伴台积电的卓越制造，使得200安培 GaN功率晶体管的突破成为可能。

  这一突破将使电动汽车受益于GaN的高效技术，实现更具成本效益的电动汽车设计，助力于更绿色和清洁的地球。