最近，为满足先进图形、高性能计算和网络芯片的高吞吐量要求，新思科技公司宣布提供3.2Gbps和经过验证的HBM2EPHYIP核。

    HBM2EPHYIP核可通过台积公司的CoWoS先进封装技术的验证，新思科技公司提供了符合JEDECHBM2ESDRAM标准的微凸块阵列，实现了最短的2.5D封装路径和最高的信号完整性。

   聚合带宽为409 GBps，HBM2EPHY提供了先进的FinFET工艺芯片所需的大规模计算性能。

    HBM2EIP核是新思科技的综合存储接口IP核解决方案的一部分，包括DDR 5/4/3/2和LPDDR 5/4/3/2 IP核，在数百个芯片中已得到充分验证，并已在数百万芯片上使用。

    台积公司相关负责人表示，双方长期的成功合作为广大客户提供了获得基于太极先进技术的高质量设计仓库核心的机会，并在高性能芯片的应用中得到了广泛的应用。

    台积公司的工业领先的7纳米工艺和CoWoS包装技术，与新思科技公司经验证的设计仓库HBM2EIP核心相结合，使开发人员能够实现从验证到高产量包装的更快的生产过程，同时将集成风险降至最低。

    新思科技的相关负责人表示，高性能的计算芯片需要更多的内存带宽来管理大量的数据传输，以支持丰富的图形和机器学习工作。

    新思科技作为优秀的内存接口IP核提供商，提供了一系列经过验证的设计内存接口IP核心解决方案，该方案具有优越的功耗、性能和面积优势。